Компания Samsung объявила о разработке транзисторной архитектуры нового поколения, которая позволяет сократить расстояние между микросхемами для создания более производительных и энергоэффективных процессоров.
Инженеры представили платформу мультимостового канального полевого транзистора (MBCFET). В отличие от предыдущих многослойных вариантов, вместо нанопроволок он содержит нанолисты. Это позволяет сократить ширину канала модуля и ограничить проблемы, связанные с электростатическими эффектами, объединив преимущества технологий FinFET и GAAFET.
На Samsung Foundry Forum компания сообщила о создании набора продуктов для 3-нм процессоров, но пока что они находятся в стадии альфа-версии v0,1. На презентации разработчики также отметили, что новая архитектура улучшает поведение устройства при включении-выключении и обеспечивает снижение рабочего напряжения до менее 0,75 В. При этом технология MBCFET полностью совместима с FinFET и для производства не требует использования дополнительных инструментов.
Хотя скачок с уровня 7-нм до 3-нм является хорошим показателем, но представители компании говорят, что в ближайшее время не стоит рассчитывать на поставку модулей на базе MBCFET, поскольку инженерам предстоит проделать еще много работы для их вывода на коммерческий уровень.
В ближайшие годы Samsung планирует запустить множество решений для процессоров 7 нм, 6 нм, 5 нм и 4 нм, прежде чем перейти к 3 нм линейке.
Ранее мы также сообщали о том, что ученые совершили прорыв в производстве наночипов, который позволит значительно снизить их себестоимость.
текст: Илья Бауэр, фото: techbang, видео: YouTube/Samsung Foundry
Bitcryptonews.ru
